比亞迪電動汽車?yán)m(xù)航高能耗低的秘密
發(fā)布時間：
2019-03-16
來源：
12月10日，比亞迪在寧波發(fā)布了在車規(guī)級領(lǐng)域具有標(biāo)桿性意義的車用功率半導(dǎo)體——IGBT4.0技術(shù)，再一次展示出其在電動車領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
比亞迪IGBT4.0晶圓
IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)全稱“絕緣柵雙極型晶體管”，其芯片與動力電池電芯并稱為電動車的“雙芯”，是影響電動車性能的關(guān)鍵技術(shù)，其成本占整車成本的5%左右。對于電動車而言，IGBT直接控制驅(qū)動系統(tǒng)直、交流電的轉(zhuǎn)換，決定了車輛的扭矩和最大輸出功率等。得益于在IGBT等核心技術(shù)領(lǐng)域的強大實力，比亞迪電動車的超高續(xù)航和較低能耗才得以實現(xiàn)。
作為中國第一家實現(xiàn)車規(guī)級IGBT大規(guī)模量產(chǎn)、也是唯一一家擁有IGBT完整產(chǎn)業(yè)鏈的車企，此次發(fā)布會上，比亞迪還釋放了另一重磅消息：比亞迪已投入巨資布局性能更加優(yōu)異的第三代半導(dǎo)體材料SiC（碳化硅），有望于2019年推出搭載SiC電控的電動車。預(yù)計到2023年，比亞迪旗下的電動車將全面搭載SiC電控。
雖然在未來較長一段時間內(nèi)，IGBT仍將供不應(yīng)求。但比亞迪也已預(yù)見到，隨著電動車性能不斷地提升，對功率半導(dǎo)體組件提出了更高的要求，當(dāng)下的IGBT也將逼近硅材料的性能極限。尋求更低芯片損耗、更強電流輸出能力、更耐高溫的全新半導(dǎo)體材料，已成為學(xué)界和業(yè)界的普遍共識。
據(jù)悉，比亞迪已投入巨資布局第三代半導(dǎo)體材料SiC，并將整合材料（高純碳化硅粉）、單晶、外延、芯片、封裝等SiC基半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈，致力于降低SiC器件的制造成本，加快其在電動車領(lǐng)域的應(yīng)用。
目前，市場上唯一使用了SiC碳化硅功率半導(dǎo)體元器件的電動車型是特斯拉的Model3，其使用了來自意法半導(dǎo)體提供了650VSiCmosfet。相比ModelS/X上的傳統(tǒng)IGBT，SiCmosfet能帶來5-8%的效率提升，對續(xù)航能力的提升和降低能耗表現(xiàn)方面作用非常顯著。除此以外，SiCmosfet還有一個巨大的優(yōu)勢在于高溫表現(xiàn)，其在200℃以內(nèi)都可以維持一個正常效率表現(xiàn)，為電動汽車的高性能發(fā)展方向提供了可能。
在意法之后，德國英飛凌也已經(jīng)開始了SiC功率半導(dǎo)體的供應(yīng)，合作伙伴同為特斯拉，也就是說，目前全球市場上的幾乎所有SiC功率半導(dǎo)體都被特斯拉采購一空。如果比亞迪在2019年成功推出車規(guī)級的SiC功率半導(dǎo)體，并將之應(yīng)用于旗下高性能車型上，比亞迪無疑將會確立其國內(nèi)新能源市場一哥的地位，并且在性能和續(xù)航水平上真正的直逼特斯拉，與國內(nèi)其他企業(yè)拉開差距。
2018年，公司產(chǎn)品“立方碳化硅微粉”經(jīng)省工信廳會同省財政廳組織的專家組進行評審，被確定為“國內(nèi)重點新材料首批次應(yīng)用產(chǎn)品”，這無疑是對產(chǎn)品、對公司的充分肯定！公司研發(fā)團隊歷經(jīng)三十年的摸爬滾打，始終如一、精益求精，才有了今天的光輝。2017年底公司分別通過了“西安市高新技術(shù)企業(yè)”認(rèn)定與“國家高新技術(shù)企業(yè)”的認(rèn)定，2018年公司董事長、團隊帶頭人王曉剛教授分別榮獲“西安創(chuàng)業(yè)英雄”、“西安市十大創(chuàng)業(yè)杰出人物”等獎項。生產(chǎn)的立方碳化硅微粉純度高、粒度分布窄、堆積密度大、燒結(jié)活性高、晶體結(jié)構(gòu)規(guī)整，公司開創(chuàng)了大批量制造納米碳化硅的先河。
微粉,碳化硅
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