立方碳化硅，又名β-SiC或3C-SiC，屬于立方晶系（等軸晶系），理論密度為3.21g/cm3，其莫氏硬度9.25-9.75。立方碳化硅具有優(yōu)異的半導電、耐磨削、耐腐蝕、耐高溫、耐熱震、耐輻射，高熱導率、低膨脹系數(shù)、低比重、良好的抗蠕變和抗斷裂性能等優(yōu)異性能。主要應用于半導體、高技術(shù)陶瓷、高級SiC制品、精密及超精密磨拋、復合材料、3D打印、涂層鍍層、熱噴涂、軍工化工、航空航天、核工業(yè)等眾多工業(yè)領域。

立方碳化硅（β-SiC）的物理性質(zhì)

性質(zhì)	物理常數(shù)	性質(zhì)		物理常數(shù)
熔點，K	2973℃（分解）	蒸發(fā)活化能，KJ/mol		244.5
摩爾熱，J/（mol.Ｋ）	24.7(276K)	生成熱，KJ/mol		111.8
線膨脹系數(shù)（373K）	6.58×10-6	線膨脹系數(shù)（1173K）		2.98×10-6
熱導率， w.m-1.k-1	28.03±2.00	燃燒熱，KJ/mol		30.343
分解溫度(℃)	2830±40	超導轉(zhuǎn)變溫度，K		5
介電常數(shù)（<300K）	9.72	電阻率，Ω.m		10-2～106
德拜溫度	1430K	能隙，ev		2.60
受激能隙（4.2K/ev）	2.39	磁化率(H)		-12.8×10-6
密度g/cm3	3.216	硬度	(Mohs)	9.25-9.75
晶體結(jié)構(gòu)	立方體 (3C)	硬度	(Vickers)	2.500－2.900
壓縮系數(shù)	0.21×10-6

β-SiC X射線衍射圖譜

立方碳化硅粒度

產(chǎn)品	D10/μm	D50/μm	D90/μm	D97/μm	振實密度g/cm3
BESC-0.3um	0.08±0.02	0.37±0.05	0.72±0.1	≦0.9	0.70±0.1
BESC-0.5um	0.08±0.02	0.5±0.05	0.95±0.15	≦1.5	0.80±0.1
BESC-1.5um	0.6±0.2	1.5±0.2	3.0±0.5	≦4.8	0.85±0.05
BESC-2.5um	1.5±0.3	2.5±0.3	3.9±0.5	≦5.1	1.25±0.05
BESC-3.5um	1.94±0.3	3.5±0.2	5.8±0.5	≦7.0	1.45±0.05
BESC-5um	2.8±0.4	4.5±0.5	7.15±0.45	≦8.5	1.63±0.05
BESC-7um	4.1±0.15	6.5±0.3	10.3±0.8	≦11.2	1.64±0.05
BESC-10um	6.6±0.5	9.7±0.8	15.0±2.0	≦18	1.70±0.05
BESC-14um	8.35±0.35	13.0±1.2	18.4±2.6	≦23	1.72±0.05
BESC-20um	11.5±0.2	20.0±0.2	30.5±0.22	≦35	1.75±0.05
BESC-28um	15.0±0.2	24.0±0.2	35.0±0.25	≦49	1.76±0.05
BESC-40um	23.0±0.2	35.0±0.2	55.0±0.22	≦68	1.80±0.05
BESC-65um	40.5±2.0	67.0±2.0	104±2.5	≦120	1.85±0.05
BESC-75um	45.0±2.5	70.0±3.0	110.0±2.5	≦130	1.92±0.05
BESC-85um	50.0±2.5	85.0±2.5	138.0±2.5	≦165	1.96±0.05
BESC-100um	68.0±3.0	103.0±3.0	145.0±3.0	≦180	1.99±0.05
BESC-120um	76.5±3.0	118.0±3.0	180.0±3.0	≦190	1.95±0.05
注：粒度、純度等要求接受客戶定制